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叠阵半导体激光器是小金库钱包自主研发、设计、制造的高可靠性、高定制化的货仓半导体激光器 ,接纳可靠的封装技术以及低热阻结构的设计 ,可实现差别形式下的高占空比和岑岭值功率输出。亦可多波长输出、宽温事情 ,可接受快轴压缩定制 ,全线产品接受792nm~818nm、940nm~960nm波长定制以及差别结构的定制。产品主要应用于泵浦源、质料加工、激光照明、医疗美容、科研应用等。

型号 RXXX±3-QXXXX-AAXX-10*XX
中心波长λc(nm) 796~808
中心波长规模δλc(nm) ±3
每Bar输出功率(W) ≥200
每组Bar数量?????????? 2~12
光学参数
型号 RXXX±3-QXXXX-GS12-10*XX
中心波长λc(nm) 796~808
中心波长规模δλc(nm) ±3
每Bar输出功率(W) ≥200 ≥100
Bar数量 1~5
型号 R808±10-Q480-GS11-10*4
中心波长λc(nm) 808
中心波长规模δλc(nm) ±10
每Bar输出功率(W) 120
Bar数量?????????????? 4
Bar间距(mm) 1.65
型号 Rxxx±3-Q1800-PA01-10*18 Rxxx±3-Q3600-PA01-10*18
中心波长λc(nm) 796~808
中心波长规模δλc(nm) ±3
每Bar输出功率(W) 100 200
Bar数量 18
Bar间距(mm) ≥0.4
型号 Rxxx±3-Qxxxx-GS07-5*15
中心波长λc(nm) 796~808
中心波长规模δλc(nm) ±3
每Bar输出功率(W) 180
Bar数量 1~15
Bar间距(mm) ~0.4
参数 单位 Rxxx±3-Qxxxx-WHA01-10*4n Rxxx±3-Qxxxx-WHA02-10*6n
中心波长 nm 796~808
波长公差 nm ±3
光谱宽度(FWHM) nm ≤6
每Bar峰值功率 W 100 250
每组Bar数量(n) ≤6
Bar数量 4n 6n
型号 Rxxx±5-Q1800-GS06-5*9
中心波长λc(nm) 796~808
中心波长规模δλc(nm) ±5
每Bar输出功率(W) 200
Bar数量 9
Bar间距(mm) ~0.6
型号 R808±3-Q640-GS04-3*8 R808±3-Q1200-GS04-5*12
中心波长λc(nm) 808
中心波长规模δλc(nm) ±3
每Bar输出功率(W) 80 100
Bar数量?????????????? 8 12
Bar间距(mm) ~0.4
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